2009년 06월 12일
특허-다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조방법
특허등록일 : 2002.03.07
발명의 명칭 : 다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조방법 (Method of manufacturing semiconductor device usingmany layer thin film method)
대리인 : 특허맨(이종일변리사)
요약 :본 발명은 적외선 감지층으로 이용되는 다층 구조의 산화바나듐막(V
본 발명에 따르면, 기존의 제조 방식인 스퍼터링법을 이용한 단층의 산화바나듐 박막 제조방법이 스퍼터링 장비가 갖는 재현성의 한계 때문에 박막 특성의 재현성 확보가 어려웠으나, 스퍼터링 장비의 재현성 한계 내에서 제조 가능한 안정상 인 산화바나듐막과 바나듐금속막의 복합구조를 제조한 후 저온에서 열처리하여 확산시킨다.
따라서, 본 발명은 재현성 있고 우수한 적외선 흡수능을 갖는 혼합 바나듐산화 박막 제조가 가능하며, 적외선 감지소자의 성능을 향상시킬 수 있다.
대표청구항 :
반도체기판 상에 실리콘질화막을 형성하는 단계와;
상기 실리콘질화막 상에 제 1산화바나듐막을 적층하는 단계;
상기 제 1산화바나듐막 상에 바나듐금속막을 적층하는 단계;
상기 바나듐금속막 상에 제 2산화바나듐막을 적층하여 다층화하는 단계; 및
상기 결과물 상에 다층 박막의 안정화를 위한 저온 열처리공정을 실시하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
[출처] 특허-다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조방법 |작성자 특허맨
# by | 2009/06/12 17:43 | 특허맨이등록한특허 | 트랙백 | 덧글(0)



